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Surface contamination of the charge-coupled device

更新时间：2021-02-05

- Surface contamination of the charge-coupled device 封面论文增强出版
- Surface contamination of the charge-coupled device
- 核技术（英文版） 2001年 12卷第2期 (2001)
- 作者机构：
  
  Southwest Institute of Nuclear Physics and Chemistry,Mianyang,621900
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  National High-Technolog Project
- DOI：中图分类号： O434.12, O472⁺.3, O484.4⁺1
- 纸质出版日期：2001-05-01，
  
  网络出版日期：，
  
  收稿日期：2000-06-12，
  
  修回日期：，
  
  录用日期：
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引用本文
Jia-Min YANG, Yao-Nan DING, Zhi-Jian ZHENG, 等. Surface contamination of the charge-coupled device[J]. 核技术（英文版）, 2001, 12(2):126-130.

Jia-Min YANG, Yao-Nan DING, Zhi-Jian ZHENG, et al. Surface contamination of the charge-coupled device[J]. Nuclear Science and Techniques, 2001, 12(2):126-130.
Jia-Min YANG, Yao-Nan DING, Zhi-Jian ZHENG, 等. Surface contamination of the charge-coupled device[J]. 核技术（英文版）, 2001, 12(2):126-130. DOI：

Jia-Min YANG, Yao-Nan DING, Zhi-Jian ZHENG, et al. Surface contamination of the charge-coupled device[J]. Nuclear Science and Techniques, 2001, 12(2):126-130. DOI：

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