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EFFECT OF TOTAL IRRADIATION DOSE ON MOSFETs/SOI

更新时间：2021-02-05

- EFFECT OF TOTAL IRRADIATION DOSE ON MOSFETs/SOI 封面论文增强出版
- EFFECT OF TOTAL IRRADIATION DOSE ON MOSFETs/SOI
- 核技术（英文版） 1994年 5卷第4期 (1994)
- 作者机构：
  
  Xinjiang Institute of Physics, the Chinese Academy of Sciences,Urumqi,830011;Shanghai Institute of Metallurgy, the Chinese Academy of Sciences,Shanghai,200050;Jiangsu Petrochemical Industry College,Changzhou,213016
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：中图分类号：
- 纸质出版日期：1994-11-01，
  
  网络出版日期：，
  
  收稿日期：1994-05-02，
  
  修回日期：，
  
  录用日期：
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引用本文
高剑侠, 严荣良, 任迪远, 等. EFFECT OF TOTAL IRRADIATION DOSE ON MOSFETs/SOI[J]. 核技术（英文版）, 1994, 5(4):236-240.

Jianxia Gao, Rongliang Yan, Diyuan Ren, et al. EFFECT OF TOTAL IRRADIATION DOSE ON MOSFETs/SOI[J]. Nuclear Science and Techniques, 1994, 5(4):236-240.
高剑侠, 严荣良, 任迪远, 等. EFFECT OF TOTAL IRRADIATION DOSE ON MOSFETs/SOI[J]. 核技术（英文版）, 1994, 5(4):236-240. DOI：

Jianxia Gao, Rongliang Yan, Diyuan Ren, et al. EFFECT OF TOTAL IRRADIATION DOSE ON MOSFETs/SOI[J]. Nuclear Science and Techniques, 1994, 5(4):236-240. DOI：

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