纸质出版日期:1994-02-01,
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收稿日期:1993-06-05,
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刘惠珍, 曹德新, 朱德彰, 等. THE BEHAVIORS OF 48 keV Si IONS IMPLANTED INTO (100) GaAs[J]. 核技术(英文版), 1994, 05(1):51-57.
Huizhen Liu, Dexin Cao, Dezhang Zhu, et al. THE BEHAVIORS OF 48 keV Si IONS IMPLANTED INTO (100) GaAs[J]. Nuclear Science and Techniques, 1994, 05(1):51-57.
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