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Transient radiation effects in CMOS inverters fabricated on SIMOX and BESOI wafers

更新时间：2021-02-05

- Transient radiation effects in CMOS inverters fabricated on SIMOX and BESOI wafers 封面论文增强出版
- Transient radiation effects in CMOS inverters fabricated on SIMOX and BESOI wafers
- 核技术（英文版） 1996年 7卷第4期 (1996)
- 作者机构：
  
  State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Metallurgy, the Chinese Academy of Sciences,Shanghai,200050;Jiangsu Petrochemical Industry College,Changzhou,213016
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  National Defense Department (8.4.3)()
- DOI：中图分类号：
- 纸质出版日期：1996-11-01，
  
  网络出版日期：，
  
  收稿日期：1996-05-07，
  
  修回日期：，
  
  录用日期：
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引用本文
竺士炀, 林成鲁, 李金华. Transient radiation effects in CMOS inverters fabricated on SIMOX and BESOI wafers[J]. 核技术（英文版）, 1996, 7(4):247-248.

Shi-Yang Zhu, Cheng-Lu Lin, Jin-Hua Li. Transient radiation effects in CMOS inverters fabricated on SIMOX and BESOI wafers[J]. Nuclear Science and Techniques, 1996, 7(4):247-248.
竺士炀, 林成鲁, 李金华. Transient radiation effects in CMOS inverters fabricated on SIMOX and BESOI wafers[J]. 核技术（英文版）, 1996, 7(4):247-248. DOI：

Shi-Yang Zhu, Cheng-Lu Lin, Jin-Hua Li. Transient radiation effects in CMOS inverters fabricated on SIMOX and BESOI wafers[J]. Nuclear Science and Techniques, 1996, 7(4):247-248. DOI：

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