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Investigation of sensitivity and threshold voltage shift of commercial MOSFETs in gamma irradiation

NUCLEAR ENERGY SCIENCE AND ENGINEERING | 更新时间：2021-02-23

- Investigation of sensitivity and threshold voltage shift of commercial MOSFETs in gamma irradiation 封面论文增强出版
- Investigation of sensitivity and threshold voltage shift of commercial MOSFETs in gamma irradiation
- 核技术（英文版） 2016年 27卷第6期 (2016)
- 作者机构：
  
  .O. Box,Tehran,Iran,19395-3697
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.1007/s41365-016-0149-8 中图分类号：
- 纸质出版日期：2016-12-20，
  
  网络出版日期：2016-10-31，
  
  收稿日期：2016-04-26，
  
  修回日期：2016-06-25，
  
  录用日期：2016-07-01
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引用本文
Ashrafi Saleh, Eslami Baharak. Investigation of sensitivity and threshold voltage shift of commercial MOSFETs in gamma irradiation[J]. 核技术（英文版）, 2016, 27(6):144

Ashrafi Saleh, Eslami Baharak. Investigation of sensitivity and threshold voltage shift of commercial MOSFETs in gamma irradiation[J]. Nuclear Science and Techniques, 2016, 27(6):144
Ashrafi Saleh, Eslami Baharak. Investigation of sensitivity and threshold voltage shift of commercial MOSFETs in gamma irradiation[J]. 核技术（英文版）, 2016, 27(6):144 DOI： 10.1007/s41365-016-0149-8.

Ashrafi Saleh, Eslami Baharak. Investigation of sensitivity and threshold voltage shift of commercial MOSFETs in gamma irradiation[J]. Nuclear Science and Techniques, 2016, 27(6):144 DOI： 10.1007/s41365-016-0149-8.

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